[xoomer]

ramo
Привет!
1)Просто там используются 4 независимых канала передачи данных (а не 2 как в DDR или 1 как в SDR). Грубо говоря, дело в том, что DDR2 передает в 2 раза больше данных за один такт (4 бита, а в DDR - 2бита), тоисть, она быстрее SDRAM в четыре раза, а DDR в два раза... Вот этим они то в принципе и различаются.

2)Ну я лично отдаю предпочтение по такому параметру цена/производительность - Kingston'у. Corsair - они классные, но дорогие. Также неплохие, на мой взгляд - Infineon, Samsung.

3)У 512Мб модуля Samsung Original DDR CAS# составляет 3, что не есть хорошо, особенно для разгона. Поищи другую память, пусть того же Samsung...

[DVDshnik]

Самсунговская память одна из самых беспроблемных тем не менее.

[ShaddyR]

верно, DVDshnik.
xoomer

512Мб модуля Samsung Original DDR CAS# составляет 3

у большинства Кингстонов тоже. Собсно, с чего ты решил, что человек будет разгонять компьютер?

[mrcnn]

Хочу узнать подробно следующее или найти инфу по вопросам:
- что такое синхронный и асинхронный режим работы памяти
- как определить как будет работать память при смене частоты FSB, в смысле в каких режимах; как следует изменять частоты (какие выбирать) FSB учитывая работу оперативной памяти; как влияет увеличение FSB на работу памяти
- как оптимизировать работу 2 плат памяти
- каким образом и в каких случаях следует изменять напряжения на памяти при разгоне

Интересно с целью разгона по шине.
Есть память A-DATA DDR 400 2.5 3 3 7. Синхронный режим. Шину разгонял до 175 Mhz. Однако пришлось выставлять режим памяти 4:5 - понижать до 333 Mhz. Почему?
Сегодня купил еще одну планку памяти A-DATA CL3. Шина до 170 Mhz перестала разгоняться. Почему?

Более подробная инфа:
[ DIMM1: A-DATA (256 Мб PC3200 DDR SDRAM) ]
Имя модуля A-DATA
Размер модуля 256 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh

Тайминги памяти:
@ 200 МГц 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 МГц 2.0-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM3: 1 Гб PC3200 DDR SDRAM ]
Имя модуля A-DATA
Свойства модуля памяти:
Размер модуля 1024 Мб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh

Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[xoomer]

mrcnn

что такое синхронный и асинхронный режим работы памяти

А поконкретней? Если ты имеешь ввиду частоту? То это значит, что при асинхронном режиме частота памяти будет оставаться неизменной при повышении частоты FSB. А если ты имеешь ввиду память, то асинхронная память - это старый вид, когда данные считывались не сразу после получения импульса (такта) от FSB...

- как определить как будет работать память при смене частоты FSB, в смысле в каких режимах; как следует изменять частоты (какие выбирать) FSB учитывая работу оперативной памяти; как влияет увеличение FSB на работу памяти

Повышение FSB напрямую влияет на работу памяти (но только в синхронном режиме). Тоесть при повышении FSB повышается и частота памяти. Лучше шагать FSB по 2...4MHz. Если комп перестаёт грузится это ёще не значит, что память, может проц не выдерживает разгон. Хотя чаще всего конечно не тянет память >> тогда, если есть возможность, ставь АСИНХРОННЫЙ режим работы памяти.

- как оптимизировать работу 2 плат памяти

Поставь значения в БИОСе -- [Bank Interleave = 2]

- каким образом и в каких случаях следует изменять напряжения на памяти при разгоне

Когда, наверняка, разгонный потенциал очень хорош, а система виснет.

Есть память A-DATA DDR 400 2.5 3 3 7. Синхронный режим. Шину разгонял до 175 Mhz. Однако пришлось выставлять режим памяти 4:5 - понижать до 333 Mhz. Почему? Сегодня купил еще одну планку памяти A-DATA CL3. Шина до 170 Mhz перестала разгоняться. Почему?

Здесь мало одного описания планок памяти. >> Посмотри вверху подпись ShaddyR'a

[mrcnn]

А поконкретней? Если ты имеешь ввиду частоту? То это значит, что при асинхронном режиме частота памяти будет оставаться неизменной при повышении частоты FSB.

Я имел в виду частоту.

Повышение FSB напрямую влияет на работу памяти (но только в синхронном режиме). Тоесть при повышении FSB повышается и частота памяти. Лучше шагать FSB по 2...4MHz. Если комп перестаёт грузится это ёще не значит, что память, может проц не выдерживает разгон. Хотя чаще всего конечно не тянет память >> тогда, если есть возможность, ставь АСИНХРОННЫЙ режим работы памяти.

А каким образом можно поставить асинхронный режим работы памяти?

Поставь значения в БИОСе -- [Bank Interleave = 2]

А объяснить, что это изменит, можно?
Такого пункта в биосе нет.

Здесь мало одного описания планок памяти. >> Посмотри вверху подпись ShaddyR'a

1. EPOX i915P EP-5EDAI, целостны
2. Celeron D 346 3.06@3.80, по датчику 60 при длительной 100% загрузке после разгона
3. ATI Radeon Sapphire x550 128Mb 64bit
4. A-DATA 256Mb PC3200 односторонний; noname 1024Mb PC3200 двухсторонний
5. БП Colors400W, 6 месяцев
6. Windows 2000 SP3
7. Установлены, версию не знаю
8. Установленыю Catalyst 6.7

При выставлении шины больше 175Mhz изображение не появляется, на индикаторе появляется POST код 26, мат. плата сбрасывает разгон (не понимаю почему).
Стандартная шина 133 Mhz. При 145 mhz (DDR в авто режиме 2:3) загрузка проходит нормально. При 150 mhz Windows до конца не грузится, вылетает перед появлением окна в котором вводится имя пользователя и пароль. Поэтому ставлю режим 4:5 и начинаю поднимать FSB дальше. При 165 mhz полностью стабильная вычислительная работа процессора, многочасовая >10ч работа Prime 95 проходит большей частью без ошибок. При 170 mhz работа более менее стабильная при поднятии напряжения на процессоре. Сегодня пробовал поднять напряжение на памяти и мат плата с новой планкой памяти стартовала и на этой частоте, но проц глючит в вычислениях. При 175 mhz система грузится, но проц глючит в вычислениях еще сильнее чем при 170.

[xoomer]

А каким образом можно поставить асинхронный режим работы памяти?

В БИОСе... или вряд-ли но может быть перемычкой на системной плате. Вобщем читай мануал к материнке.

Такого пункта в биосе нет.

Ну значит всё!

А объяснить, что это изменит, можно?

Чуть изменяет принцип работы памяти, при считывании/записи. Она в этом режиме работает, так сказать "симметрично". Тоисть чередуются банки памяти при записи/чтении.

A-DATA 256Mb PC3200 односторонний; noname 1024Mb PC3200 двухсторонний

Извини, ну это не в какие ворота не катит. Мало того, что Noname,так ещё одно/двухстороннии... ужос... разгонять комп лучше с одинаковыми или хотя-бы более менее похожими планками памяти. Это нужно для того, чтобы латентность хотя-бы совпадала... Теперь кажется ясным, что из-за памяти не идет разгон так-как надо... (ИМХО) Увы.

[ramo]

Спасибо, все понятно.
Конфиг:
Сист.плата ASUS A8N-E <Socket939, nForce4 Ultra, 4DDR,SB,1GbitLAN,SATA-RAID,PCI-E,USB2.0>
Проц Athlon 64 3500+.
Винт на 80гиг самсунг.
Видюха GeForce 6600, 128MB.
Модуль памяти DDR 512 Mb (pc-3200) 200MHz/400Mbps Samsung original
2-х канальная архитектура памяти.
a1_DDR+a2_DDR=b1_DDR+b2_DDR;
Вопрос первый:Можно ли устновить модуль памяти DDR 1024Mb (pc-3200) 200MHz/400Mbps Samsung original,
если один слот занят 512МВ памяти,т.е. получаеться
a1_DDR+a2_DDR не равен b1_DDR+b2_DDR?
Второй вопрос:могут ли быть глюки если вместе с самсунгом
установить модуль памяти другого производителя, например
Kingston,Hyundai?
Вопрос третий:
в чем разница оригинальных модулей памяти от простых?

[xoomer]

ramo
А можно вопросы по-конкретней - первый и третий?
Второй - по идее нет! Но ЖЕЛАТЕЛЬНО, чтобы они были похожими по характеристикам.