[samara1532]

Почему установлены разные модули я задам вопрос продавцу в понедельник. »

два модуля одной партии , а третий из другой , но ничем не отличается от тех двух .

Желаемый общий объем ОЗУ - не менее 16 ГБ »

желательно того-же производителя и параметров , что и сейчас , или к примеру подойдет от фирмы Samsung/Kingston 5x2Gb 667Mhz ECC .

[Ment69]

Ven, На сайте Intel есть ссылки на список, совместимой с вашей системной платой, памяти.

[Ven]

Всего 4 модуля, 2 пары. Одна пара - с поддержкой APM (по данным Everest), другая без.
Или я не правильно понял отчет?

[Ven]

Прошу обратить внимание на выделенный текст. Кстати, кроме AMB еще заметил разницу в таймингах.
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ Branch0-DIMM1: Hyundai HYMP125F72CP8D3-Y5 ]

читать дальше »

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Hyundai HYMP125F72CP8D3-Y5
Серийный номер 05182103h (52500485)
Дата выпуска Неделя 7 / 2008
Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля FB-DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM FB-DIMM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Вольтаж модуля 1.5 V / 1.8 V
Метод обнаружения ошибок ECC
Частота регенерации Сокращено (7.8 us)
Производитель DRAM Hyundai

Тайминги памяти:
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Функции модуля памяти:
50 Ohm On-Die Termination Поддерживается
75 Ohm On-Die Termination Поддерживается
150 Ohm On-Die Termination Поддерживается

Производитель модуля памяти:
Фирма Hynix Semiconductor Inc.
Информация о продукте http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

[ Branch0-DIMM5: Hyundai HYMP125F72CP8D3-Y5 ]

читать дальше »

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Hyundai HYMP125F72CP8D3-Y5
Серийный номер 05182502h (35985413)
Дата выпуска Неделя 7 / 2008
Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля FB-DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM FB-DIMM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Вольтаж модуля 1.5 V / 1.8 V
Метод обнаружения ошибок ECC
Частота регенерации Сокращено (7.8 us)
Производитель DRAM Hyundai

Тайминги памяти:
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Функции модуля памяти:
50 Ohm On-Die Termination Поддерживается
75 Ohm On-Die Termination Поддерживается
150 Ohm On-Die Termination Поддерживается

Производитель модуля памяти:
Фирма Hynix Semiconductor Inc.
Информация о продукте http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

[ Branch1-DIMM1: Hyundai HYMP525F72CP4N3-Y5 ]

читать дальше »

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Hyundai HYMP525F72CP4N3-Y5
Серийный номер 46591407h (118774086)
Дата выпуска Неделя 10 / 2008
Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля FB-DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM FB-DIMM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Вольтаж модуля 1.5 V / 1.8 V
Метод обнаружения ошибок ECC
Частота регенерации Сокращено (7.8 us)
Производитель AMB Intel
Производитель DRAM Hyundai

Тайминги памяти:
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Функции модуля памяти:
50 Ohm On-Die Termination Поддерживается
75 Ohm On-Die Termination Поддерживается
150 Ohm On-Die Termination Поддерживается

Производитель модуля памяти:
Фирма Hynix Semiconductor Inc.
Информация о продукте http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

[ Branch1-DIMM5: Hyundai HYMP525F72CP4N3-Y5 ]

читать дальше »

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Hyundai HYMP525F72CP4N3-Y5
Серийный номер 4659110Dh (219240774)
Дата выпуска Неделя 10 / 2008
Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля FB-DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM FB-DIMM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Вольтаж модуля 1.5 V / 1.8 V
Метод обнаружения ошибок ECC
Частота регенерации Сокращено (7.8 us)
Производитель AMB Intel
Производитель DRAM Hyundai

Тайминги памяти:
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Функции модуля памяти:
50 Ohm On-Die Termination Поддерживается
75 Ohm On-Die Termination Поддерживается
150 Ohm On-Die Termination Поддерживается

Производитель модуля памяти:
Фирма Hynix Semiconductor Inc.
Информация о продукте http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

Спасибо.

[samara1532]

вот что пишут про ту память

[Ven]

samara1532, спасибо, а от куда это?...я хочу там про второй модуль почитать.

[samara1532]

а от куда это?. »

Ment69, дал ссылку на скачку QVL листа , в нем есть обе две ОЗУ , с описанием . (см. для 667Мгц , ~ после 20-24 страницы)

[Ven]

Нашел там оба модуля. Разница не большая, но есть. Это нормально для серверов?

[samara1532]

Это нормально для серверов? »

ничего страшного в этом нет . а тайминги мат. плата адаптирует при первом же старте (сделает одинаковыми для всех модулей) , правда для авторитетной компании , собрать новый сервер с разными планками , не простительно . все-же можно было подобрать память одного типа (начинки) , пусть даже и из разной партии .