Цитата:
|
kim-aaтемпература разложения кремниевых соединений в микросхемах не 95 градусов - есть кремниевые силовые элементы, работающие при 125 градусов. 95 - это как бы гарантия, что чип будет более-менее работать, но ресурс его резко снижается. Кстати, температура разложения соединений кремния не менее 800-900
|
Долго мучался, вроде учили одному (память у меня вроде неплохая), с другой стороны температура разложения соединений кремния действительно 800-900 градусов.
Ответ таился на первой странице перевой лекции по электронике прослушанной 14 лет назад.
Цитирую
Цитата:
... в чистом полупроводнике при температуре близкой к абсолютному нулю проводимость отсутствует, т. е. свободных электронов нет. При росте температуры энергия электронов растет и некоторые из них сходят со своих орбит и переходят в зону проводимости. На их месте остаются "дырки" условно положительно-заряженные частицы.
В чистом полупроводнике концентрация "дырок" равна концентрации свободных электронов.
При комнатной температуре концентрация свободных электронов
для кремния = 10^10 на куб. см., что немного (на 1 куб см. Si приходится 10^22 атомов).
У германия концентрация свободных электронов выше на три порядка.
|
А теперь внимание
Цитата:
... При некоторой достаточно большой температуре, концентрация носителей зарядов выростает настолько, что полупроводник превращается в проводник.
Для германия эта температура > 80 градусов по Цельсию, для кремния > 125 градусов по Цельсию
|
т. е. для процессорной техники ситуация вобще удручающа. Начиная с определенной температуры, проводниковые свойства начинают замещаться проводниковыми, в результате паразитные токи растут и еще больше разогревают полупроводник, в общем процесс становится неуправляем (практически цепная реакция) и дело концается КЗ, т.е. локальными пробоями. В итоге Чип на помойку.
