вот пример теста памяти
Memory --------------------------------------------------------------------
Total Memory Size: 256 MBytes
Total Memory Size [MB]: 256
Current Memory Clock: 133.6 MHz
Current Timing (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 2.5-3-3-6
Memory Runs At: Single-Channel
Row: 1 - 256 MB PC2100 DDR-SDRAM -----------------------------------------
Module Number: 1
Module Size: 256 MBytes
Memory Type: DDR-SDRAM
Error Check/Correction: None
Memory Speed: 133.3 MHz (PC2100)
Module Manufacturer: Unknown
Module Model:
Serial Number: N/A
Manufacturing Date: N/A
Module Width: 64-bits
Module Voltage: SSTL 2.5V
SPD Revision: N/A
Number Of Rows: 1
Row Address Bits: 13
Column Address Bits: 10
Refresh Rate: Reduced 0.5x (7.8 us)
Min. Back-to-Back Clock Delay: 1
Supported Burst Lengths: 2, 4, 8
Number Of Banks: 4
Supported CAS Latency: 2.0 (10.00 ns @ 100.0 MHz), 2.5 (7.50 ns @ 133.3 MHz)
Supported CS Latency: 0
Supported WE Latency: 1
Min. Row Precharge Time (tRP): 20.00 ns
Min. Row-Activate To Row-Activate Delay (tRRD): 15.00 ns
Min. RAS-to-CAS Delay (tRCD): 20.00 ns
Min. RAS Pulse Width (tRAS): 45 ns
Buffered Address/Control Inputs: Not Supported
Registered Address/Control Inputs: Not Supported
On-card PLL For Clock: Not Supported
Buffered DQMB Inputs: Not Supported
Registered DQMB Inputs: Not Supported
Differential Clock Input: Supported
Redundant Row Address: Not Supported
Цитата:
|
Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр
|
Цитата:
|
т.е. CAS Latency Остальные при этом не обязательно равны ему! Практика показывает, что обычно прочие параметры выше, а значит и память хуже.
|
то есть могут приниматься значения ( в моём примере от 2 до 8 включительно)
и ещё прочитайте внимательно мой первый пост по этой теме
CAS Latency- то же самое что и
CL