1.
Код:
Поле Значение
Свойства модуля памяти
Имя модуля Samsung M378B5773CH0-CH9
Серийный номер 762CDEA9h (2849909878)
Дата выпуска Неделя 11 / 2011
Размер модуля 2 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Производитель DRAM Samsung
Тайминги памяти
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh Не поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature Refresh Rate Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout Не поддерживается
Производитель модуля памяти
Фирма Samsung
Информация о продукте http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
2.
Код:
Поле Значение
Свойства модуля памяти
Имя модуля Micron 8JTF25664AZ-1G4M1
Серийный номер 295B5E72h (1918786345)
Дата выпуска Неделя 8 / 2012
Размер модуля 2 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Производитель DRAM Micron
Тайминги памяти
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти
Auto Self Refresh Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature Refresh Rate Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout Не поддерживается
Производитель модуля памяти
Фирма Micron Technology, Inc.
Информация о продукте http://www.micron.com/products/modules
