[Kalapulik]

Вот что пишет БИОС:
DRAM Timing Selectable By SPD
CAS Latency Time 2,5
Active to Precharge Delay 8
DRAM RAS# to CAS# Delay 4
DRAM RAS# Precharge 4

и Эверест
Самсунг:
Размер модуля 512 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 МГц 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)

АМ1:
Размер модуля 512 Мб (2 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти
@ 200 МГц 2.5-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.0-4-4-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)