Тип ЦП DualCore AMD Athlon 64 X2, 2300 MHz (11.5 x 200) 4400+
Псевдоним ЦП Brisbane
Степпинг ЦП BH-G2
Наборы инструкций x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Исходная частота 2300 МГц
Мин./макс. множитель ЦП 4.0x / 11.5x
Engineering Sample Нет
Кэш L1 кода 64 Кб per core (Parity)
Кэш L1 данных 64 Кб per core (ECC)
Кэш L2 512 Кб per core (On-Die, ECC, Full-Speed)
Физическая информация о ЦП
Тип корпуса 940 Pin uOPGA
Размеры корпуса 4.00 cm x 4.00 cm
Число транзисторов 154 млн.
Технологический процесс 10Mi, 65 nm, CMOS, Cu, DSL SOI
Размер кристалла 126 mm2
Напряжение питания ядра 1.100 - 1.375 V
Напряжение I/O 1.2 V + 2.5 V
Максимальная мощность 65 - 76 W (в зависимости от частоты)
Производитель ЦП
Фирма Advanced Micro Devices, Inc.
Информация о продукте
http://www.amd.com/us-en/Processors/...30_118,00.html
Загрузка ЦП
ЦП 1 / Ядро 1 9 %
Поле Значение
Свойства системной платы
ID системной платы 63-0100-000001-00101111-083107-ATHLON64$1ADMB006_A7309NMS V1.90 083107
Системная плата MSI K9N6SGM-V (MS-7309)
Свойства шины FSB
Тип шины AMD Hammer
Реальная частота 200 МГц
Эффективная частота 200 МГц
Частота HyperTransport 1000 МГц
Свойства шины памяти
Тип шины DDR2 SDRAM
Ширина шины 64 бит
Соотношение DRAM:FSB CPU/6
Реальная частота 385 МГц (DDR)
Эффективная частота 770 МГц
Пропускная способность 6162 Мб/с
Физическая информация о системной плате
Число гнёзд для ЦП 1 Socket AM2
Разъёмы расширения 2 PCI, 1 PCI-E x1, 1 PCI-E x16
Разъёмы ОЗУ 2 DDR2 DIMM
Встроенные устройства Audio, Video, LAN
Форм-фактор Micro ATX
Размеры системной платы 200 mm x 240 mm
Чипсет системной платы nForce6100-405
Поле Значение
Свойства BIOS
Тип BIOS AMI
Версия BIOS V1.9
Дата системной BIOS 08/31/07
Дата BIOS видеоадаптера 09/14/06
Производитель BIOS
Фирма American Megatrends Inc.
Поле Значение
Свойства северного моста
Северный мост AMD Hammer DDR2 IMC
Поддерживаемые типы памяти DDR2-400 SDRAM, DDR2-533 SDRAM, DDR2-667 SDRAM, DDR2-800 SDRAM
Версия 00
Контроллер памяти
Тип Dual Channel (128 бит)
Активный режим Single Channel (64 бит)
Тайминги памяти
CAS Latency (CL) 6T
RAS To CAS Delay (tRCD) 6T
RAS Precharge (tRP) 6T
RAS Active Time (tRAS) 18T
Row Cycle Time (tRC) 25T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 6T
Write To Read Delay (tWTR) 3T
Read To Precharge Delay (tRTP) 2T
Four Activate Window Delay (tFAW) 14T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
DRAM Drive Strength 1.0x
DRAM Data Drive Strength 1.0x
Clock Drive Strength 1.5x
CKE Drive Strength 1.5x
Max Async Latency 6 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Разрешено
Read/Write Queue Bypass 16
Коррекция ошибок
ECC Поддерживается, Запрещено
ChipKill ECC Поддерживается, Запрещено
RAID Не поддерживается
DRAM Scrub Rate Запрещено
L1 Data Cache Scrub Rate Запрещено
L2 Cache Scrub Rate Запрещено
Разъёмы памяти
Разъём DRAM #1 1024 Мб (DDR2-800 DDR2 SDRAM)
Вот!)) Биос необновлял
